英諾賽科攜手輝達推動800 VDC全GaN電源架構 助力AI數據中心效率躍升

英諾賽科攜手輝達推動800 VDC全GaN電源架構 助力AI數據中心效率躍升

港股分析
**異動股丨英諾賽科升逾一成 夥輝達支持800 VDC電源架構** 在2025年10月14日的港股早盤中,英諾賽科(02577.HK)的股價表現異常亮眼,最高升幅達到18.6%,創下8月15日後最大的升幅。這一波股價上漲主要得益於公司宣佈與英偉達(NVIDIA)合作,共同支持800 VDC電源架構。這一項合作旨在為新一代GPU路線圖的擴展提供保障,並提供全GaN電源解決方案,以推動人工智能數據中心的進一步發展。 英諾賽科是一家專注於第三代半導體的高新技術企業,主要從事硅基氮化鎵外延及器件的研發和製造。公司採用IDM全產業鏈模式,建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線。其核心技術團隊由多位國際一流的半導體專家組成,致力於以更低的成本提供質量卓越、可靠性優異的GaN器件,並推動GaN技術在市場上的廣泛應用。 英諾賽科與英偉達合作支持的800 VDC電源架構,將為人工智能數據中心帶來突破性的進展。這一架構可以提高效率、提升功率密度,並降低能耗需求,從而減少二氧化碳排放。與電動汽車行業從400V升級到800V類似,機架電壓從48V提升到800V可使電流降低16倍,大幅減少I²R損耗並盡可能降低對銅材的需求。 此外,英諾賽科的股價表現也受到 yatırım者和市場的關注。早盤成交額顯著增加,達到數億港元,市場對公司未來發展的看好背後,更多受到其在新興領域如人工智能數據中心、仿人機器人和電動車等的潛力所驅動。 綜上所述,英諾賽科的股價上漲,反映了公司在半導體領域的戰略布局和合作成果。隨著該公司持續推動創新技術和合作伙伴關係的建立,未來市場表現將繼續受到投資者和市場的關注。